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上海昭沅小編為您介紹：等離子去膠機是利用等離子體的化學活性分解并去除基材表面光刻膠(或有機污染物) 的干法去膠設備，核心是通過氧等離子體與有機膠膜發生氧化反應，將其轉化為揮發性氣體排出，全程無需液態化學試劑。
其工作原理可分為 4 個核心步驟：
真空腔體準備與氣體通入
將帶有光刻膠的晶圓(或其他基材)放入密閉的真空腔室，通過真空泵將腔室內抽至低真空環境(通常壓力控制在 10~100 Pa 區間)，隨后通入高純度氧氣(O?，是最常用的去膠氣體)，部分場景會搭配少量 CF? 或 H? 優化去膠效果。
等離子體激發與活性粒子生成
通過射頻電源(RF，常見頻率 13.56 MHz)或微波電源向腔室施加高頻電場，電場中的電子被加速后與氧氣分子發生碰撞，使 O? 分子電離、解離，形成由 氧自由基(O?)、氧離子(O?)、電子 組成的氧等離子體。
其中，氧自由基是去膠的核心活性粒子，具有極強的氧化性，且化學活性遠高于普通氧氣。
氧化分解反應(核心去膠過程)
氧自由基與基材表面的光刻膠(主要成分是高分子有機物，含 C、H 元素)發生劇烈氧化反應，將高分子長鏈斷裂為小分子化合物，最終生成 二氧化碳(CO?)、水(H?O) 等揮發性氣體。
昭沅等離子去膠機補充特性
選擇性：通過控制工藝參數(如功率、壓力、氧氣流量、處理時間)，可實現只去除光刻膠，而不損傷硅片、金屬薄膜或介質層。
均勻性：等離子體在腔室內分布均勻，能實現大面積基材的一致性去膠，適合批量處理。
無損傷：相比濕法去膠(如硫酸、雙氧水體系)，等離子去膠對基材的腐蝕風險極低，尤其適用于精細結構的半導體器件或微納加工產品。
上海市浦東新區巨峰路1058弄新紫茂國際大廈3號樓901室
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